最近网络上传的沸沸扬扬，华为要自研光刻机，早在2016年，华为就申请了和光刻机相关的技术专利，已经在相关领域投资了80亿美元，2年之内要攻克5nm光刻机。
别搞笑了，华为没有那个本事，首先，我们要说明的是，光刻机在60多年的发展里，其实只更迭了5代，光刻指利用光化学反 原理把事先制备在掩模上的图形通过光学成像系统(光刻机 )转印到至衬底上的过程。光刻是集成电路和微机电系统加工中最重要的步骤，目前它是唯一可以在衬底上制作亚微 米和纳米精度图形的技术，光线就相当于是里面的雕刻刀。那雕刻刀越细，就能刻出越小的东西来。
所以根据光源的变化，光刻机共分为了5代，分别是最早的436纳米光刻机，然而第二代是365纳米波长，第三代是248纳米，第四代是193纳米波长，第五代是13.5纳米波长的EUV光刻机。
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每一代里也有技术的更迭，像第四代193纳米波长光刻机一开始最多只能制造90nm芯片，后来通过在晶圆光刻胶上方加 1mm 厚的水。水可以把 193nm 的光折射成 134nm，这也就是第四代光刻机Plus版本，第四代浸没式光刻机，在通过多重曝光、双工作台等技术实现了7nm制程。
所以简单来说，光刻机设备厂提供了浸没式光刻机，而有没有办法实现7nm制程芯片量产，则是晶圆代工厂的事情，因为芯片制造不仅仅是光刻机，还涉及到其他一系列繁复的工程，比如中芯国际，拥有第四代浸没式光刻机，但是目前他只掌握了14nm工艺技术，良率和效率都还要提高。
目前上海微电子已经能够制造第四代193纳米步进式光刻机，目前正在研制浸没式光刻机，至于EUV光刻机，长春光机所和英特尔都是从90年代预研EUV技术，但是中国目前要到2030年才能制造出EUV光刻机，并不是说长春光机所研发慢，而是要获取到零件难度太高，需要整个中国产业的提升。
这是因为EUV光刻机都是全球最顶级的零件，位于光刻机中心的镜头，由20多块锅底大的镜片串联组成。镜片得高纯度透光材料+高质量抛光。SMEE光刻机使用的镜片，得数万美元一块。
另外，光刻机需要体积小，但功率高而稳定的光源。ASML的顶尖光刻机，使用波长短的极紫外光，光学系统极复杂。长春光机所耗费20多年时间才建立了较为完善的曝光光学系统关键技术研发平台。
有顶级的镜头和光源，没极致的机械精度，也是白搭。光刻机里有两个同步运动的工件台，一个载底片，一个载胶片。两者需始终同步，误差在2纳米以下。两个工作台由静到动，加速度跟导弹发射差不多。
除此之外，还有光刻胶，刻胶性能的好坏直接关系到光刻工艺的成败。特别是在光刻机分辨率 极限区域(k1较小的情况)，复制在光刻胶上图像的对比度较小，好的 光刻胶仍然可以得到较好的图形。所以光刻胶的评估很重要。目前中国最多只能量产193波长光刻胶，并没有量产EUV光刻胶的能力。
华为目前研发光刻机，想要在2年时间攻克EUV光刻机也是不可能的，因为这些都不是华为一家企业能够搞定的，需要整个产业链齐心协力。
而且即使华为搞定了光刻机，也没有办法，中芯国际目前还在掌握14纳米芯片制程技术。我们承认华为在5G技术上很厉害。
德国专利统计公司IPlytics近日发布了一份5G标准专利声明调查报告，报告显示，截止2020年1月1日，全球5G标准专利申请数量为21571件，华为以3147件位居第一。
华为在IC设计上也是中国龙头，但是这不代表华为什么事情都能够搞定，我们在肯定华为的同时，不要去神话华为！
