2015年5月份中国发布了“中国制造2025”白皮书，其中提到中国芯片自给率要在2020年达到40%，2025年达到70%。
为了实现中国芯片的快速发展，能够突破美国的技术封锁，中国大陆国家积体电路产业投资基金投资2000亿人民币，来促进半导体产业的发展。
中国也海纳百川，吸收全世界的顶级半导体人才，来促进中国半导体技术的发展。像中国就对韩国发动来人才狩猎计划，除了通过外专千人计划之外，中国企业还开出了丰厚的利润，开出了两倍年薪，五年聘期保障，汽车，滞留经费补贴等条件，吸引韩国人才。
半导体是支持韩国经济的核心产业，从80年代末，随着韩国经济的腾飞，韩国财团决定从工业基地转型为更具高科技导向的产业。
前三星集团首席执行官李秉哲在1983年2月决定对内存芯片生产进行大规模投资。这被认为是一个非常大胆的决定。因为当时韩国仍是一个简单的装配生产基地，1983年，整个半导体生产中晶圆加工的份额也仅为4．3％。
随后，三星电子1984年成立了一家现代化的芯片工厂，用于批量生产64K DRAM。1984年秋季首次将其出口到美国。1985年成功开发了1M DRAM，并取得了英特尔“微处理器技术”的许可协议。
我们要知道，芯片一般分为存储芯片和非存储芯片两大类，其中非存储芯片一般以DRAM（通常说的内存）和NAND FLASH（通常说的闪存）为核心。
2018年，全球DRAM内存芯片产业总价值，达1016亿美元，NAND闪存行业产值有望达到626亿美元，与存储行业合计1642亿美元。占全产业4280亿美元总价值的38％之多，稳居IC产品市场规模第一。所以存储芯片一直以来都是IC产业的重中之重。
这个时候，韩国趁机收购了日本的产业链、吸收了日本大量的半导体人才，三星在DRAM上不断投入，韩国政府也全力配合。由韩国电子通信研究所牵头，联合三星、LG、现代与韩国六所大学，“官产学”一起对4M DRAM进行技术攻关。该项目持续三年，研发费用达1．1亿美元，韩国政府便承担了57％。随后韩国政府还推动了16M ／ 64M DRAM的合作开发项目。
1983年至1987年间实施的“半导体工业振兴计划”中，韩国政府共投入了3．46亿美元的贷款，并激发了20亿美元的私人投资，这大力促进了韩国半导体产业的发展。
到了80年代末，在美国发起的芯片战争攻势下，日本半导体产业被美国打入了深渊，彼时的日本已经被美国打入了泡沫经济时代，在双重危机下日本半导体产业可以说遭受了重创。
在美国的支持下，和韩国政府的投入下，韩国半导体实现了迅速的发展，成为了半导体行业的龙头，知道2018年，韩国企业全球DRAM市占率高达80%、NANDFlash市占率60%，可以说垄断了整个存储市场。
所以中国才会选择招收韩国的半导体人才，中国招收半导体领域人才还从韩国退休人员下手，他们虽然因为年龄的原因可能没有办法从事第一线科研，但是却具有丰富的经验，可以从旁起到指导作用。
韩国国情院介绍，最近五年韩国外流核心技术共152项，其中约60%技术流向中国。除了从韩国引进技术外，中国还从美、德、以色列等国家引进技术和人才来发展尖端技术。
在中国的人才引进政策下，中韩技术水平差距从2014年相差为1.4年缩小到2016年的1.0年。信息技术领域的电子、信息、通讯产业技术的差距为0.3年，其他各产业类别技术差距也在大幅度减少。医疗技术差距为0.5年，生物技术差距为0.2年。中国已经领先在前的航天宇宙领域技术差距已经比韩国提前0.2年。
韩国半导体行业有关人士称，“仅靠50名半导体核心成团就能大幅缩短D-RAM（动态随机存取存储器，一种半导体储存器）的制造流程。”
有钱、有平台、有完整的产业链，这是韩国半导体人才无法拒绝中国的原因。而这也让韩国十分恐慌，他们使出了浑身解数来阻止中国的人才引进政策。
比如三星电子起诉一名跳槽至中国企业的前高管 ，申请暂时禁止调职的处分。据悉，这名前高官曾在三星电子负责DRAM的设计工作，曾于2015年获得产业部长表彰。
2017年年底，他被调往三星SDI（负责显像管生产），2018年第三季度，他向三星提交辞呈，随后跳槽至一家中国半导体企业。因为该企业正在准备量产DRAM半导体，三星电子认为该高管跳槽时间十分敏感，担心对自身造成损失。
除了韩国之外，日本更是中国招揽的对象，因为日本半导体产业这些年不景气，日本大型电机企业相继放弃半导体业务，尔必达存储器陷入破产、瑞萨电子大量裁员……
许多的半导体人才没有发挥的余地，而中国抛来的橄榄枝，无疑对他们来说是一道曙光。
日本称，中国公司为了挖走日本半导体技术人才，直接把办公室和厂区搬到了JR川崎车站附近，其中其招聘邮件写着，待遇800万日元以上，招聘人数无上限，不惜重金直接抢走日企人才，如果中国继续这样挖墙脚，那估计过不了多久，日企就不是饿死的，而是被中国挖倒的
一名在中国半导体厂商工作5年以上的前NEC技术人员表示：“我在这儿能继续做此前的研究。就算以前的同事认为我是叛徒，我也不后悔”。
清华紫光在日本还在准备建立设计开发基地，积极争取日本技术人才。被日本企业“年功序列（论资排辈）”型收入体系束缚的东芝技术人员被紫光认为是“廉价而优秀的人才”。
从1970年代中期开始的大约40年里，日本机电企业至少有1000多名国内顶级技术人员流向以中国和韩国为中心的亚洲企业。中韩等国家主要邀请90年代以后因大量裁员而多出的日本核心人才，这些人才为亚洲企业的飞跃做出了重要贡献。
日本半导体巨头尔必达原社长——72岁的坂本幸雄，更是于今年11月就任中国芯片制造商紫光集团的高级副总裁兼日本分公司CEO。他表示，自己“不想作为一个失败者结束人生。想自己作个了结”。
坂本幸雄这话颇有日本热血番的感觉。尔必达曾是日本著名的半导体巨头，却被美韩联手搞垮，作为日本半导体领域大佬的坂本幸雄此次出山加入中国紫光集团，无疑是想一雪前耻，而这无疑将推动中国半导体产业的大发展。
在中国的努力下，中国半导体产业形成了一个完整的产业链，从设计芯片的EDA工具到芯片生存的设备厂商，中国都一应俱全。
首先是芯片设计工具，EDA工具主宰全球1.5亿美元电子产业的发展，没有EDA工具，就好像做饭没有菜一样，就无法进行芯片的设计。
是中国的华大九天，广立微、芯禾科技也构成了国产EDA工具三巨头，虽然只有美国三分之一的种类，但是在这三分之一里，中国有些是做到全球一流水准的，甚至是世界第一的。
然后是IC设计，中国最牛的海思，抛开海思就是联发科、紫光展锐，这三家都是全球前十的IC设计厂商。海思旗下的芯片共有五大系列，分别是用于智能设备的麒麟系列；用于数据中心的鲲鹏系列服务 CPU；用于人工智能的场景 AI 芯片组 Ascend（升腾）系列 SoC；用于连接芯片（基站芯片天罡、终端芯片巴龙）；其他专用芯片（视频监控、机顶盒芯片、物联网等芯片）。像安防、电视芯片，华为几乎处于垄断地位，占据百分近七成的市场份额。
过了就是芯片制造设备了，单晶硅片制造需要单晶炉等设备，IC制造需要光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散离子注入设备、湿法设备、过程检测等六大类设备。。
首先是单晶炉，中国有京运通，光刻机虽然比较落后，但是中国有上微，现在还在搞45nm，蚀刻机全球最领先，中微5nm蚀刻机世界一流、北微7nm蚀刻机也是全世界主流水准，薄膜设备中国有北微，已经在搞7nm，扩散/离子注入设备中科信、北微，湿法有北微、盛美，检测设备有东方晶源。
这些设备厂商里，除了光刻机的北微之外，其余全都是达到世界主流甚至顶级水准。
然后就是晶圆代工，中国有中芯国际，目前已经搞定了12nm，虽然还没有办法和台积电和三星比，但是中国大陆也有自己的晶圆加工厂。
在具体芯片芯片，存储芯片中核心的闪存和内存分别被紫光集团和合肥长鑫搞定，实现了0的突破，接下来就是打破美韩的垄断，走向世界。
非存储芯片里在AD 转换芯片、CPLD/FPGA（复杂可编程逻辑器件与复杂可编程逻辑阵列）以及射频芯片领域，中国差距明显，其他都在主流水准。
紫光集团曾经想通过购买 Lattice 来破开垄断局面，遭到特朗普政府的强势打压，如今中国电科、同创国芯、AGM等众多国产企业正在努力依靠自主研发，突破封锁。在中低端市场取得了不错的成绩。国内射频PA厂商有唯捷创芯，也是只做到了中低端。
可以说，中国是罕见的拥有了芯片完整产业链的国家，中国目前正在朝着形成完整的半导体生态努力，如果形成了完整的半导体生态，那么EDA厂商就可以拿自己的EDA工具到下游验证，然后下游厂商根据自己的需求向上游提出研发需求，到那个时候，中国就可以自产自研全世界所有种类的芯片。
