荷兰光刻机大厂 ASML 交出优于预期的首季财报，公司透露已看到逻辑芯片的技术节点快速转换中，量产型极紫外光（EUV）系统 NXE : 3400C 除了导入逻辑客户端之外，也将推进到 DRAM 内存产业，可以预见， EUV 光刻机的下一个攻城掠地之所，将是 DRAM 存储产业，传出当中最积极的客户是三星电子。
根据第一季度财报，ASML净销售额为 22 亿欧元，净收入为 3.55 亿欧元，毛利率为 41.6 ％ 。同时， ASML 也针对第二季提出财测，预估净销售额将在 25 亿欧元～26 亿欧元之间，毛利率在 41 ％ ～42 ％ 之间。
ASML 表示，紫外光（EUV）光刻机的出货量，以及深紫外光（DUV）光刻机的盈利优于预期，带动首季销售额和毛利率略高于预期，预计逻辑芯片技术节点转换加速，让公司 2019 全年展望保持不变。
（来源：ASML）
ASML 的 EUV 光刻机在 2017 年下半到 2018 年初，约莫达到每小时曝光 125 片晶圆的吞吐量，而 ASML 即将在下半年出货的新一代 EUV 光刻机，芯片吞吐量已经可以达到每小时 170 片水准。
值得注意的是， ASML 也透露会将 NXE : 3400C 的 EUV 光刻机推动进入 DRAM 内存产业。
事实上，半导体 DRAM 大厂对于在高端工艺技术中导入 EUV 光刻机技术有不同的看法。其中，最为积极的是三星，除了生产 7nm 的处理器芯片导入 EUV 技术外，业界认为三星可能在 2020 年于 1y nm 工艺上使用EUV技术。
目前 DRAM 芯片仍在以 1x nm 节点。DRAＭ 制程技术进入 20 nm 以下，通常 19 nm 纳米到 16 nm 节点都泛指为 1x nm，像是三星现在的 18 nm 工艺技术，日前就传出有良率过低导致的瑕疵品问题，而引发客户赔偿的消息。
再来， 1y nm 工艺技术则是泛指 16 nm 到 14 nm 之间， 1z nm 是指 14 nm 到 12 nm 之间，若再往下发展，美光提出的过 1α 与 1β 工艺技术，但业界都认为， DRAM 技术再往下微缩，技术难度非常大，何时商业化仍需观察。
相较于三星对于 EUV 技术的积极，美光则是表明尚没有导入的计划，因为不认为 EUV 光刻机在 DRAM 芯片的制造环节上是必须的，甚至是未来发展到可能到 1z 以下的 1α 和 1β 工艺技术，可能都不需要 EUV 光刻机。
而 SK海力士也是有意将EUV 光刻机技术加入 DRAM 生产环节，但目前细节尚未公开，应会从韩国利川市新建的工厂开始导入。
另外， SK 海力士也在无锡 12 寸晶圆厂投资 8.32 亿美元， 2019 年初开始启动生产，朝 1x nm 工艺技术投入，未来该厂房的产能可达每月 18 万片。
ASML 在深紫外光（DUV）光刻机业务上，公司表示受惠汽车、工业、物联网等细分市场的强劲增长， 8 寸晶圆厂客户 TWINSCAN 干式光刻机的需求不断增长。
在 12 寸晶圆方面， DUV 机台的技术也持续推进，以支持先进技术节点和新应用， ASML 计划在 2020 年中推出 NXT：1470 机台。
ASML 总裁兼首席执行官 Peter Wennink 表示，再次确认之前公布的 2020 年之后的长期展望，仍然保持基于对 5G 通信、汽车、人工智能和数据中心等技术驱动领域的积极看法，然而从短期来看，宏观经济的发展对于市场的需求仍然带来了一些不确定因素。
另外， ASML 在 2016 年买下汉微科之后，加入提高未来节点所需的缺陷检测灵敏度的电子束产品（E-beam products），计划在 2019 年研发并推出多波束系统， 2020 年可进入商用。
